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SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè) 器陣列

簡(jiǎn)要描述：SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè) 器陣列具有多通道，高集成度芯片化，大模擬帶寬等特性，主要應(yīng)用于光纖傳感，光纖通信，激光雷達(dá)等領(lǐng)域

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SOI芯片光電探測(cè)器陣列-混頻光電探測(cè)器陣列

SOI芯片式光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列特性

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列應(yīng)用領(lǐng)域

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列規(guī)格參數(shù)

參數(shù)指標(biāo)	單位	最小值	典型值	最大值
波長范圍	nm	1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
暗電流	nA			30@-1V,
3dB 模擬帶寬	GHz			30@-2V
光飽和功率	mW	10
響應(yīng)度	A/W	0.8
90度光學(xué)混頻器損耗	dB	6	6.5	6.7
90度光學(xué)混頻器相位失衡度	°	5
通道數(shù)		1,2,3,4,5 或可定制
光纖接入損耗	dB	≤1.5
偏振相關(guān)損耗	dB	≤0.5
工作溫度范圍	℃	-20		50
工作濕度范圍	%			+65
芯片尺寸	mm	陣列式光電探測(cè)器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH 陣列式混頻探測(cè)器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH 4 通道混頻探測(cè)器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H)

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片尺寸

四川梓冠光電SOI芯片光電探測(cè)器陣列訂貨信息

ZG	波長	通道數(shù)	類型
ZG	13=1310nm 15=1550nm	1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other	1=光電探測(cè)器 1=PD 2=混頻器 2=Mixer XX=other

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列特性

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列應(yīng)用領(lǐng)域

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列規(guī)格參數(shù)

參數(shù)指標(biāo)	單位	最小值	典型值	最大值
波長范圍	nm	1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
暗電流	nA			30@-1V,
3dB 模擬帶寬	GHz			30@-2V
光飽和功率	mW	10
響應(yīng)度	A/W	0.8
90度光學(xué)混頻器損耗	dB	6	6.5	6.7
90度光學(xué)混頻器相位失衡度	°	5
通道數(shù)		1,2,3,4,5 或可定制
光纖接入損耗	dB	≤1.5
偏振相關(guān)損耗	dB	≤0.5
工作溫度范圍	℃	-20		50
工作濕度范圍	%			+65
芯片尺寸	mm	陣列式光電探測(cè)器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH 陣列式混頻探測(cè)器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH 4 通道混頻探測(cè)器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H)

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片尺寸

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ZG	波長	通道數(shù)	類型
ZG	13=1310nm 15=1550nm	1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other	1=光電探測(cè)器 1=PD 2=混頻器 2=Mixer XX=other

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